Технічний опис APT25GN120BG Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 272 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 67 A, Gate Charge: 155 nC, Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V, Switching Energy: 2.15µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції APT25GN120BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT25GN120BG | Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT25GN120BG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)