Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT25GN120BG

APT25GN120BG Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT25GN120BG Microchip Technology

Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns, Switching Energy: 2.15µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 67 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 272 W.

Інші пропозиції APT25GN120BG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT25GN120BG	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
APT25GN120BG	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 67A 272W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
APT25GN120BG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	APT25GN120BG THT IGBT transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GN120BG	Виробник : MICROSEMI	TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT25GN120 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GN120BG	Виробник : Microchip Technology	Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns Switching Energy: 2.15µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 272 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GN120BG	Виробник : Microchip Technology	IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.