APT25GP90BDQ1G Microchip Technology


APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+648.47 грн
25+612.70 грн
100+474.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT25GP90BDQ1G Microchip Technology

Description: IGBT PT 900V 72A TO247, Power - Max: 417 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Gate Charge: 110 nC, Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Switching Energy: 370µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції APT25GP90BDQ1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT25GP90BDQ1G MICROSEMI 5992-apt25gp90bdq1g-datasheet TO247-3/72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT APT25GP90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90BDQ1G APT25GP90BDQ1G Microchip Technology 5992-apt25gp90bdq1g-datasheet Description: IGBT PT 900V 72A TO247
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90BDQ1G 5992-apt25gp90bdq1g-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO247-3/72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT APT25GP90
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT25GP90BDQ1G 5992-apt25gp90bdq1g-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 72A TO247
Power - Max: 417 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.