APT25GP90BG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT 900V 72A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 577.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT25GP90BG Microchip Technology
Description: IGBT 900V 72A 417W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 370µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції APT25GP90BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT25GP90BG Код товару: 131306 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT25GP90BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 900V, 25A, TO-247, RoHS |
товар відсутній |
||
|
|
APT25GP90BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A |
товар відсутній |