Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT25GR120BD15

APT25GR120BD15 Microchip Technology

Name: APT25GR120BD15
Brand: Microchip Technology
SKU: 4106537-3
Price: 516.82 UAH
Availability: InStock

126294-apt25gr120bd15-apt25gr120sd15-datasheet

Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns
Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 521 W

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	516.82 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT25GR120BD15 Microchip Technology

Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns, Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 203 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 521 W.

Інші пропозиції APT25GR120BD15

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT25GR120BD15	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GR120BD15	Виробник : Microchip Technology	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GR120BD15	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 521W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 521W Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 164ns Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 154nC Technology: NPT; POWER MOS 8® Part status: Not recommended for new designs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GR120BD15	Виробник : MICROSEMI	TO247/Ultra Fast NPT - IGBT APT25GR120 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GR120BD15	Виробник : Microchip Technology	IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT25GR120BD15	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 521W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 521W Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 164ns Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 154nC Technology: NPT; POWER MOS 8® Part status: Not recommended for new designs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.