APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.92 грн |
| 100+ | 489.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT25GT120BRDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns, Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 54 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 347 W.
Інші пропозиції APT25GT120BRDQ2G за ціною від 579.66 грн до 579.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT25GT120BRDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 347 W |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
APT25GT120BRDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| APT25GT120BRDQ2G | Виробник : MICROSEMI |
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |