Технічний опис APT26F120B2 MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT26F120B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT26F120B2 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|
| APT26F120B2 | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/27 A, 1200 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT26F120 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT26F120B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
APT26F120B2 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247 T-MAX |
товар відсутній |