APT27GA90BD15 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/98ns
Switching Energy: 413µJ (on), 287µJ (off)
Test Condition: 600V, 14A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 79 A
Power - Max: 223 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT27GA90BD15 Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/98ns, Switching Energy: 413µJ (on), 287µJ (off), Test Condition: 600V, 14A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 79 A, Power - Max: 223 W.
Інші пропозиції APT27GA90BD15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT27GA90BD15 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247 |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT27GA90BD15 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


