Технічний опис APT29F100L Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1.04kW; TO264, Mounting: THT, Case: TO264, On-state resistance: 440mΩ, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 1.04kW, Gate charge: 260nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 8®, Drain current: 19A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT29F100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT29F100L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1.04kW; TO264 Mounting: THT Case: TO264 On-state resistance: 440mΩ Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 260nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 19A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT29F100L | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 |
товар відсутній |
|
|
|
APT29F100L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1.04kW; TO264 Mounting: THT Case: TO264 On-state resistance: 440mΩ Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 260nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 19A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |