APT2X101D60J Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A ISOTOP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ISOTOP®
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT2X101D60J Microchip Technology
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A ISOTOP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: ISOTOP®, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 180 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції APT2X101D60J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT2X101D60J | Microsemi |
Rectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - D |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT2X101D60J |
![]() |
Виробник: Microsemi
Rectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - D
Rectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - D
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



