APT2X50DC120J Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1933.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT2X50DC120J Microchip Technology
Транзистори > IGBT, Корпус: SOT-227, Vces: 1200 V, Ic 100: 50 A.
Інші пропозиції APT2X50DC120J за ціною від 13301.58 грн до 13301.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT2X50DC120J | Виробник : Microsemi |
 Diode Schottky 1.2KV 50A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
APT2X50DC120J | Виробник : Microchip Technology |
Diode Schottky 1.2KV 50A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
APT2X50DC120J Код товару: 101789
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Microsemi |
Транзистори > IGBT Корпус: SOT-227 Vces: 1200 V Ic 100: 50 A |
товару немає в наявності
|
|||||
 |
APT2X50DC120J | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227 |
товару немає в наявності |
|||||
| APT2X50DC120J | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
товару немає в наявності |