APT30GN60BDQ2G Microchip Technology


APT100GN60B2_G__A.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 30 A TO-247
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+347.86 грн
100+297.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT30GN60BDQ2G Microchip Technology

Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns, Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 203 W.

Інші пропозиції APT30GN60BDQ2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT30GN60BDQ2G MICROSEMI 6899-apt30gn60bdq2g-apt30gn60sdq2g-datasheet TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR FIELDSTOP LOW FREQ COMBI APT30GN60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT30GN60BDQ2G APT30GN60BDQ2G Microchip Technology 6899-apt30gn60bdq2g-apt30gn60sdq2g-datasheet Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns
Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 203 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT30GN60BDQ2G 6899-apt30gn60bdq2g-apt30gn60sdq2g-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR FIELDSTOP LOW FREQ COMBI APT30GN60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT30GN60BDQ2G 6899-apt30gn60bdq2g-apt30gn60sdq2g-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/155ns
Switching Energy: 525µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 203 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.