APT30M19JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; ISOTOP; screw; Idm: 520A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 700W
Technology: POWER MOS V®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3494.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30M19JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 975 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT30M19JVFR за ціною від 4193.28 грн до 4193.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT30M19JVFR | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 130A; ISOTOP; screw; Idm: 520A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 130A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 19mΩ Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 700W Technology: POWER MOS V® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
APT30M19JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT30M19JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 975 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
APT30M19JVFR | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 300 V 19 mOhm SOT-227 |
товару немає в наявності |