APT30M30JLL Microchip Technology
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2930.21 грн |
| 100+ | 2494.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30M30JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 352A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 88A, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT30M30JLL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30M30JLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 300V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT30M30JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 300V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT30M30JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 352A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 88A On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT30M30JLL | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT30M30 кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| APT30M30JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 300V; 88A; ISOTOP; screw; Idm: 352A; 520W Mechanical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 352A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 88A On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |