Технічний опис APT30M36B2FLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 84A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 42A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT30M36B2FLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT30M36B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT30M36B2FLLG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
APT30M36B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 42A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6480 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
APT30M36B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |