APT30M75BFLLG Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 861.08 грн |
| 100+ | 733.70 грн |
| 250+ | 622.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30M75BFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3, Mounting: THT, Pulsed drain current: 176A, Power dissipation: 329W, Gate charge: 57nC, Polarisation: unipolar, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 44A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 300V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO247-3, On-state resistance: 75mΩ.
Інші пропозиції APT30M75BFLLG за ціною від 1000.27 грн до 1000.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30M75BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed drain current: 176A Power dissipation: 329W Gate charge: 57nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 7® Drain current: 44A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 75mΩ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| APT30M75BFLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 329W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 329W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1000.27 грн |