APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.89 грн |
| 3+ | 478.64 грн |
| 10+ | 473.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2267 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT30N60BC6 за ціною від 346.92 грн до 638.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT30N60BC6 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 219W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| APT30N60BC6 | Виробник : MICROSEMI |
TO-247/30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT30N60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
 |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2267 pF @ 25 V |
товар відсутній |