
APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Gate charge: 88nC
Technology: CoolMOS™
Pulsed drain current: 89A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 558.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30N60BC6 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 219W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2267 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT30N60BC6 за ціною від 390.77 грн до 669.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT30N60BC6 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 219W Gate charge: 88nC Technology: CoolMOS™ Pulsed drain current: 89A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
APT30N60BC6 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
APT30N60BC6 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2267 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |