Технічний опис APT33GF120LRDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 64A 357W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-264 [L], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/185ns, Switching Energy: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 357 W.
Інші пропозиції APT33GF120LRDQ2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT33GF120LRDQ2G | MICROSEMI |
TO264-3/high voltage power IGBTs APT33GF120 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT33GF120LRDQ2G |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)