APT34F100L Microsemi Power Products Group
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT34F100L Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264, Mounting: THT, On-state resistance: 0.38Ω, Drain current: 21A, Power dissipation: 1135W, Drain-source voltage: 1kV, Pulsed drain current: 140A, Case: TO264, Kind of channel: enhancement, Technology: POWER MOS 8®, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 305nC.
Інші пропозиції APT34F100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F100L | Виробник : MICROSEMI |
 TO264-3/35 A, 1000 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34F100кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT34F100L | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 34 A TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
APT34F100L | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT On-state resistance: 0.38Ω Drain current: 21A Power dissipation: 1135W Drain-source voltage: 1kV Pulsed drain current: 140A Case: TO264 Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 305nC |
товару немає в наявності |