APT35GA90B Microchip Technology


APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+338.08 грн
100+288.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT35GA90B Microchip Technology

Description: IGBT 900V 63A 290W TO-247, Power - Max: 290 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Part Status: Active, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції APT35GA90B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT35GA90B Microsemi 123658-apt35ga90b-apt35ga90s-datasheet
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90B 123658-apt35ga90b-apt35ga90s-datasheet
Виробник: Microsemi
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.