Технічний опис APT35GA90B Microchip Technology
Description: IGBT 900V 63A 290W TO-247, Power - Max: 290 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Part Status: Active, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції APT35GA90B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT35GA90B | Microsemi |
|
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| APT35GA90B |
![]() |
Виробник: Microsemi
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


