Інші пропозиції APT35GA90BD15
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT35GA90BD15 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 35A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : MICROSEMI |
TO247/High Speed PT IGBT APT35 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 900V 63A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off) Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 290 W |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247 |
товар відсутній |
||
APT35GA90BD15 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 8®; PT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 35A Power dissipation: 290W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 25ns Turn-off time: 298ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MT5016A (AptSemi) Трифазний діодний міст 1,6кВ/50А Код товару: 56003 |
Виробник: AptSemi/IR
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: 28,5х28,5х9,7мм
Uзвор, V: 1600 V
I пр, A: 50 A
Тип діодного моста: Трифазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: 28,5х28,5х9,7мм
Uзвор, V: 1600 V
I пр, A: 50 A
Тип діодного моста: Трифазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
у наявності: 81 шт
59 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 231 грн |
10+ | 214.5 грн |
NE555P Код товару: 26138 |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1339 шт
1057 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
152 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
152 шт - РАДІОМАГ-Львів
46 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 05.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
MCP6022-I/SN Код товару: 25959 |
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW,MHz: 10 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 7 V/µs
Температурний діапазон: -40…+85°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW,MHz: 10 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 7 V/µs
Температурний діапазон: -40…+85°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 398 шт
355 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 77 грн |
10+ | 69.3 грн |
BZV55-C18 Код товару: 3419 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 200 шт
200 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
16+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.7 грн |
AD620AR Код товару: 3105 |
Виробник: AD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18 V
BW,MHz: 1 MHz
Температурний діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18 V
BW,MHz: 1 MHz
Температурний діапазон: -40…+85°C
у наявності: 13 шт
8 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 242 грн |