Продукція > Транзистори > IGBT > APT35GA90BD15
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Код товару: 111866
Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції APT35GA90BD15

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Виробник : Microchip Technology apt35ga90b_sd15_e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Виробник : Microchip Technology apt35ga90b_sd15_e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 Виробник : MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf TO247/High Speed PT IGBT APT35
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Виробник : Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 900V 63A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 Виробник : Microchip Technology APT15GP90BDQ1_G__A-3444992.pdf IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT35GA90BD15 APT35GA90BD15 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 8®; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 35A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 25ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MT5016A (AptSemi) Трифазний діодний міст 1,6кВ/50А
Код товару: 56003
Додати до обраних Обраний товар

mt50aeywtgfiue.pdf
MT5016A (AptSemi) Трифазний діодний міст 1,6кВ/50А
+1
Виробник: AptSemi/IR
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: 28,5х28,5х9,7мм
Uзвор, V: 1600 V
I пр, A: 50 A
Тип діодного моста: Трифазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 500 A
у наявності: 24 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується 19.07.2025
Кількість Ціна
1+231.00 грн
10+214.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NE555P
Код товару: 26138
Додати до обраних Обраний товар

description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1514 шт
1449 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
25 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
2+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MCP6022-I/SN
Код товару: 25959
Додати до обраних Обраний товар

mcp6022-isn.pdf
MCP6022-I/SN
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: 2,5,...5,5 V
BW,MHz: 10 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 7 V/µs
Температурний діапазон: -40…+85°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 160 шт
121 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+77.00 грн
10+69.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C18
Код товару: 3419
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C18
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 5 шт
5 шт - склад
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.30 грн
100+1.00 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AD620AR
Код товару: 3105
Додати до обраних Обраний товар

ad620-246168-datasheet.pdf
AD620AR
Виробник: AD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Vc, V: ±2,3...±18 V
BW,MHz: 1 MHz
Температурний діапазон: -40…+85°C
у наявності: 6 шт
2 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+242.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.