APT35GP120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 29A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 140A
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2503.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT35GP120J MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 284 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT35GP120J за ціною від 2686.97 грн до 3004.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT35GP120J | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.24 nF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT35GP120J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 29A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 140A Technology: POWER MOS 7®; PT Mechanical mounting: screw Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT35GP120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 64A 284000mW |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT35GP120J | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, SOT-227 |
товару немає в наявності |