на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1890.15 грн |
| 10+ | 1862.38 грн |
| 100+ | 1528.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT35GT120JU2 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 260 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT35GT120JU2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT35GT120JU2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Pulsed collector current: 80A Application: motors Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Topology: boost chopper Technology: Field Stop; Trench кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT35GT120JU2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 260000mW |
товар відсутній |
|
| APT35GT120JU2 | Виробник : MICROSEMI |
SOT227/POWER MODULE - IGBT APT35 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT35GT120JU2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 260 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.53 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| APT35GT120JU2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Pulsed collector current: 80A Application: motors Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Topology: boost chopper Technology: Field Stop; Trench |
товар відсутній |