APT37F50B Microchip Technology
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT37F50B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 24A, Case: TO247-3, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 0.15Ω, Pulsed drain current: 115A, Power dissipation: 520W, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 145nC, Gate-source voltage: ±30V, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT37F50B за ціною від 421.5 грн до 494.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT37F50B | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT37F50B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate charge: 145nC Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT37F50B | Виробник : MICROSEMI |
TO-247AD/37 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT37F50 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT37F50B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Case: TO247-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Power dissipation: 520W Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate charge: 145nC Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |