Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > APT37M100B2

APT37M100B2 Microchip / Microsemi

Name: APT37M100B2
Brand: Microchip Technology
SKU: 38235845-4
Price: 1553.22 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microchip / Microsemi
MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 T-MAX

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT37M100B2 Microchip / Microsemi

Description: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT37M100B2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT37M100B2	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT37M100B2	Виробник : Microchip Technology	MOSFETs MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-247 MAX	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT37M100B2	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 140A; 1135W; TO247MAX Case: TO247MAX Kind of package: tube Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Gate charge: 305nC On-state resistance: 0.33Ω Drain current: 23A Pulsed drain current: 140A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 1135W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.