APT38F80B2 Microchip Technology
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1217.93 грн |
| 25+ | 1126.76 грн |
| 100+ | 930.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT38F80B2 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT38F80B2 за ціною від 1398.97 грн до 2191.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT38F80B2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 150A Gate charge: 260nC |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
APT38F80B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
APT38F80B2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 150A Gate charge: 260nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
 |
APT38F80B2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
APT38F80B2 Код товару: 125002
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||
 |
APT38F80B2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| APT38F80B2 | Виробник : MICROSEMI |
TO247/41 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38F80 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |