APT38F80B2 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1224.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT38F80B2 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT38F80B2 за ціною від 939.6 грн до 1610.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT38F80B2 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-247 T-MAX |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT38F80B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 260nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 26A |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT38F80B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 260nC Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 8® Drain current: 26A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
|
APT38F80B2 Код товару: 125002 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
APT38F80B2 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| APT38F80B2 | Виробник : MICROSEMI |
TO247/41 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38F80 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |