Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT38F80B2
APT38F80B2

APT38F80B2 Microchip Technology

6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1368.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT38F80B2 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8070 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT38F80B2 за ціною від 1088.07 грн до 1662.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT38F80B2 APT38F80B2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.65 грн
3+1272.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT38F80B2 APT38F80B2 Виробник : Microchip Technology APT11F80B_S_C-3444565.pdf MOSFETs FREDFET MOS8 800 V 38 A TO-247 MAX
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1428.20 грн
25+1393.42 грн
100+1088.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT38F80B2 APT38F80B2 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1662.78 грн
3+1585.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT38F80B2
Код товару: 125002
Додати до обраних Обраний товар

6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT38F80B2 APT38F80B2 Виробник : Microchip Technology 9140304187640286988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT38F80B2 Виробник : MICROSEMI 6988-apt38f80b2-apt38f80l-datasheet TO247/41 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT38F80
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.