Технічний опис APT39F60J Microsemi
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 26A, Power dissipation: 480W, Case: ISOTOP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, Pulsed drain current: 210A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції APT39F60J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT39F60J | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 42A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT39F60J | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 |
товару немає в наявності |
|
| APT39F60J | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Modules FREDFET MOS8 600 V 39 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
||
| APT39F60J | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 480W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: 210A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |