Технічний опис APT4014BVFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 28A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Kind of package: tube, Gate charge: 160nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT4014BVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4014BVFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Kind of package: tube Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
| APT4014BVFRG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS |
товару немає в наявності |
||
|
|
APT4014BVFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Mounting: THT Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Kind of package: tube Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |