APT40GF120JRDQ2 Microsemi Power Products Group
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GF120JRDQ2 Microsemi Power Products Group
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 42A, Pulsed collector current: 150A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Kind of package: tube, Technology: Fast IGBT; FRED; NPT, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції APT40GF120JRDQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT40GF120JRDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
 IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A ISOTOP |
товару немає в наявності |
|
| APT40GF120JRDQ2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 42A Pulsed collector current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Technology: Fast IGBT; FRED; NPT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |