APT40GF120JRDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Fast IGBT; FRED; NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GF120JRDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 42A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 150A, Technology: Fast IGBT; FRED; NPT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT40GF120JRDQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT40GF120JRDQ2 | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: IGBT 1200V 77A 347W SOT227 |
товар відсутній |
|
 |
APT40GF120JRDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A ISOTOP |
товар відсутній |
|
| APT40GF120JRDQ2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 42A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Technology: Fast IGBT; FRED; NPT Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |