APT40GP60BG MICROSEMI
Виробник: MICROSEMI
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE APT40GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GP60BG MICROSEMI
Description: IGBT PT 600V 100A TO247, Power - Max: 543 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, Gate Charge: 135 nC, Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції APT40GP60BG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT40GP60BG | Microchip Technology |
Description: IGBT PT 600V 100A TO247 Power - Max: 543 W Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Active Gate Charge: 135 nC Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT40GP60BG | Microchip Technology |
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT40GP60BG |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TO247
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: IGBT PT 600V 100A TO247
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT40GP60BG |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247
IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.