APT40GP60BG Microchip Technology


APT40GP60B_S_D-1593539.pdf Виробник: Microchip Technology
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+948.68 грн
100+ 808.45 грн
250+ 686.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT40GP60BG Microchip Technology

Description: IGBT 600V 100A 543W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns, Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 543 W.

Інші пропозиції APT40GP60BG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT40GP60BG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6265-apt40gp60bg-apt40gp60sg-datasheet APT40GP60BG THT IGBT transistors
товар відсутній
APT40GP60BG Виробник : MICROSEMI 6265-apt40gp60bg-apt40gp60sg-datasheet TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE APT40GP60
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT40GP60BG APT40GP60BG Виробник : Microchip Technology 6265-apt40gp60bg-apt40gp60sg-datasheet Description: IGBT 600V 100A 543W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns
Switching Energy: 385µJ (on), 352µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 543 W
товар відсутній