APT40GP90B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 543W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1864.21 грн |
| 3+ | 1558.44 грн |
| 10+ | 1376.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GP90B2DQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 900V, Collector current: 50A, Power dissipation: 543W, Case: T-Max, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 160A, Mounting: THT, Gate charge: 145nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 7®; PT, Turn-on time: 37ns, Turn-off time: 0.22µs, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT40GP90B2DQ2G за ціною від 1652.10 грн до 2237.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT40GP90B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 50A Power dissipation: 543W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 7®; PT Turn-on time: 37ns Turn-off time: 0.22µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT40GP90B2DQ2G | Виробник : Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
 |
APT40GP90B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 900V 101A 543W TMAX |
товару немає в наявності |