Продукція > MICROSEMI > APT40GP90B2DQ2G

APT40GP90B2DQ2G Microsemi

APT40GP90B2DQ2_A-601278.pdf
Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT40GP90B2DQ2G Microsemi

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi.

Інші пропозиції APT40GP90B2DQ2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APT40GP90B2DQ2G APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: IGBT PT 900V 101A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DQ2G Microchip Technology APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DQ2G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT40GP90B2DQ2G
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 900V 101A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GP90B2DQ2G APT15GP90BDQ1(G)_A.pdf
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.