Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT40GR120B2D30
APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30 Microchip Technology

APT40GR120B2D30_RevA.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+733.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT40GR120B2D30 Microchip Technology

Description: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns, Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.

Інші пропозиції APT40GR120B2D30 за ціною від 675.14 грн до 1450.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30 Microchip Technology APT40GR120B2D30_RevA.pdf IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX
на замовлення 60 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+791.78 грн
100+675.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30 MICROCHIP TECHNOLOGY APT40GR120B2D30_RevA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 47ns
Kind of package: tube
Case: T-Max
Turn-off time: 232ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Part status: Not recommended for new designs
Collector current: 40A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1450.65 грн
2+1274.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30 MICROSEMI APT40GR120B2D30_RevA.pdf TO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30_RevA.pdf
APT40GR120B2D30
Виробник: Microchip Technology
IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX
на замовлення 60 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.78 грн
100+675.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30_RevA.pdf
APT40GR120B2D30
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Power dissipation: 500W
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 47ns
Kind of package: tube
Case: T-Max
Turn-off time: 232ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Part status: Not recommended for new designs
Collector current: 40A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1450.65 грн
2+1274.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT40GR120B2D30 APT40GR120B2D30_RevA.pdf
Виробник: MICROSEMI
TO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.