APT40GR120S Microchip Technology
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 677.27 грн |
| 10+ | 666.74 грн |
| 25+ | 544.14 грн |
| 100+ | 512.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GR120S Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 88A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: D3Pak, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns, Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції APT40GR120S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT40GR120S | Виробник : MICROSEMI |
 Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
APT40GR120S | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 500W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT40GR120S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 232ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Part status: Not recommended for new designs Mounting: SMD Case: D3PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
APT40GR120S | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT NPT 1200V 88A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 88 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT40GR120S | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 232ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Part status: Not recommended for new designs Mounting: SMD Case: D3PAK |
товару немає в наявності |