APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1350.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns, Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off), Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 113 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT45GP120B2DQ2G за ціною від 1072.78 грн до 1840.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max Case: T-Max Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 54A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 170A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 47ns Turn-off time: 230ns Gate-emitter voltage: ±30V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max Case: T-Max Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 54A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 170A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 47ns Turn-off time: 230ns Gate-emitter voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 113A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |