APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1572.78 грн |
| 100+ | 1339.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 113A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns, Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off), Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 113 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT45GP120B2DQ2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 113A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 1200V 113A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off) Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 113 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A Power - Max: 625 W |
товару немає в наявності |