APT46GA90JD40 Microchip / Microsemi
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT46GA90JD40 Microchip / Microsemi
Description: IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 87 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Power - Max: 284 W, Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.17 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT46GA90JD40
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT46GA90JD40 Код товару: 181786
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
| APT46GA90JD40 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 8®; PT Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 46A Pulsed collector current: 136A Max. off-state voltage: 900V Application: for UPS Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APT46GA90JD40 | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP/High Speed PT IGBT APT46GA90 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT46GA90JD40 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 87 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 284 W Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.17 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT46GA90JD40 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 |
товару немає в наявності |
|
| APT46GA90JD40 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B; tube Technology: POWER MOS 8®; PT Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 46A Pulsed collector current: 136A Max. off-state voltage: 900V Application: for UPS Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |