APT4F120K Microchip Technology
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.83 грн |
| 100+ | 206.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT4F120K Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT4F120K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4F120K | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT4F120K | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 15A Drain current: 3A Gate charge: 43nC Power dissipation: 225W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
APT4F120K | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT4F120K | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 15A Drain current: 3A Gate charge: 43nC Power dissipation: 225W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |