на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.50 грн |
| 100+ | 227.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT4M120K Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220 [K], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT4M120K за ціною від 331.98 грн до 571.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| APT4M120K | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY | APT4M120K THT N channel transistors |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT4M120K |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| APT4M120K | Виробник : MICROSEMI |
TO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120 кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 [K] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |