APT4M120K MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 225W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.91 грн |
| 3+ | 209.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT4M120K MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220 [K], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT4M120K за ціною від 214.50 грн до 346.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
 MOSFETs MOSFET MOS8 1200 V 4 A TO-220 |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT4M120K | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| APT4M120K |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
|
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| APT4M120K | Виробник : MICROSEMI |
TO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120 кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
APT4M120K | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 [K] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |