APT5010B2VRG Microchip Technology
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1407.03 грн |
| 100+ | 1197.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5010B2VRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5010B2VRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2VRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT5010B2VRG | Виробник : MICROSEMI |
TMAX/POWER MOSFET - MOS5 APT5010 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT5010B2VRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |