Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT5010B2VRG
APT5010B2VRG

APT5010B2VRG Microchip Technology

APL501J_D_Linear_MOSFET_Datasheet.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS 5 500 V 100 mOhm TO-247 MAX
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1290.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT5010B2VRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

Інші пропозиції APT5010B2VRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT5010B2VRG MICROSEMI 6289-apt5010b2vrg-datasheet TMAX/POWER MOSFET - MOS5 APT5010
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT5010B2VRG APT5010B2VRG Microchip Technology 6289-apt5010b2vrg-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT5010B2VRG 6289-apt5010b2vrg-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TMAX/POWER MOSFET - MOS5 APT5010
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT5010B2VRG 6289-apt5010b2vrg-datasheet
APT5010B2VRG
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.