
APT5010JLLU2 Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2221.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5010JLLU2 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 378W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5010JLLU2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5010JLLU2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
APT5010JLLU2 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() |
товару немає в наявності |
||
APT5010JLLU2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |