Технічний опис APT5015BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5015BVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT5015BVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO-247 [B]POWER MOSFET - MOS5кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
|
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 15 Ohm TO-247 |
товару немає в наявності |



