Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > APT5015BVRG

APT5015BVRG Microchip Technology

Name: APT5015BVRG
Brand: Microchip Technology
SKU: 5274886-4
Price: 985.99 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APT5015BVRG Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V.

Інші пропозиції APT5015BVRG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
APT5015BVRG	Виробник : Microchip Technology	Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT5015BVRG	Виробник : MICROSEMI	TO-247 [B]POWER MOSFET - MOS5 кількість в упаковці: 30 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT5015BVRG	Виробник : Microchip Technology	Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT5015BVRG	Виробник : Microchip Technology	MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 15 Ohm TO-247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
APT5015BVRG	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 300nC On-state resistance: 0.15Ω Gate-source voltage: ±30V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.