APT5017BVFRG Microchip Technology
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 918.55 грн |
| 25+ | 817.32 грн |
| 100+ | 696.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5017BVFRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5017BVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
APT5017BVFRG Код товару: 196462 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
APT5017BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT5017BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT5017BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT5017BVFRG | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET MOS5 APT5017 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT5017BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT5017BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |