APT5017BVRG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 811.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5017BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5017BVRG за ціною від 759.31 грн до 893.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT5017BVRG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT5017BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT5017BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 370W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS V® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 370W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
APT5017BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 370W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS V® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 370W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |