
APT50GF120JRD Microchip Technology
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3996.89 грн |
500+ | 3403.49 грн |
1000+ | 2891.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GF120JRD Microchip Technology
Description: IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 460 W, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT50GF120JRD
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
APT50GF120JRD | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY | APT50GF120JRD IGBT modules |
товару немає в наявності |
||
|
APT50GF120JRD | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 460 W Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |