APT50GF120JRD

APT50GF120JRD Microchip Technology


APT100GT120JR_B-3444523.pdf Виробник: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 50 A SOT-227
на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3996.89 грн
500+3403.49 грн
1000+2891.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50GF120JRD Microchip Technology

Description: IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 460 W, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT50GF120JRD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT50GF120JRD Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY APT50GF120JRD IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GF120JRD APT50GF120JRD Виробник : Microchip Technology Description: IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 460 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.45 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.