Технічний опис APT50GN120B2G Microchip Technology
Description: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns, Switching Energy: 4495µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 543 W.
Інші пропозиції APT50GN120B2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT50GN120B2G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APT50GN120B2G THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
| APT50GN120B2G | Виробник : MICROSEMI |
TMAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT50GN120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT50GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns Switching Energy: 4495µJ (off) Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 134 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 543 W |
товару немає в наявності |
|
| APT50GN120B2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |