APT50GN120L2DQ2G Microchip Technology
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1326.72 грн |
| 10+ | 1306.97 грн |
| 25+ | 1117.67 грн |
| 100+ | 1005.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GN120L2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns, Switching Energy: 4495µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 315 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 543 W.
Інші пропозиції APT50GN120L2DQ2G за ціною від 1339.74 грн до 1339.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT50GN120L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
 Description: IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134APackaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/320ns Switching Energy: 4495µJ (off) Test Condition: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 134 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 543 W |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
APT50GN120L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 543W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| APT50GN120L2DQ2G | Виробник : MICROSEMI |
264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT50GN120 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |