APT50GP60BG - Транзистори - IGBT
Технічний опис APT50GP60BG
Ціна APT50GP60BG від 0 грн до 0 грн
|
APT50GP60BG Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT50GP60BG THT IGBT transistors 
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
 Виробник: Microchip Technology Description: IGBT 600V 100A 625W TO247 Packaging: Tube Part Status: Not For New Designs IGBT Type: PT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V Current - Collector (Ic) (Max): 100A Current - Collector Pulsed (Icm): 190A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Power - Max: 625W Switching Energy: 465µJ (on), 637µJ (off) Input Type: Standard Gate Charge: 165nC Td (on/off) @ 25°C: 19ns/83ns Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Supplier Device Package: TO-247 [B]
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
APT50GP60BG Виробник: Microchip / Microsemi IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 50A, TO-247, RoHS
|
на замовлення 40 шт  термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
 Виробник: Microchip Technology Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
APT50GP60BG Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT50GP60BG THT IGBT transistors
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|