APT50GP60J

APT50GP60J Microchip Technology


apt50gp60j_a.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 329000mW
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50GP60J Microchip Technology

Description: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 329 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V.

Інші пропозиції APT50GP60J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT50GP60J Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 6328-apt50gp60j-datasheet APT50GP60J IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60J APT50GP60J Виробник : Microchip Technology 6328-apt50gp60j-datasheet Description: IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 329 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GP60J Виробник : Microchip Technology APT102GA60B2_L_C-2474610.pdf IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.