APT50GR120JD30 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GR120JD30 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 417 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT50GR120JD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT50GR120JD30 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| APT50GR120JD30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 50A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
APT50GR120JD30 | Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
APT50GR120JD30 | Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| APT50GR120JD30 |
|
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT50GR120JD30 |
|
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 50A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT50GR120JD30 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
| APT50GR120JD30 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.