APT50GR120JD30 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GR120JD30 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 417 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT50GR120JD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| APT50GR120JD30 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| APT50GR120JD30 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

