APT50GR120JD30 Microsemi
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GR120JD30 Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 50A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT50GR120JD30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
| APT50GR120JD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227 |
товар відсутній |
|
| APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227 |
товар відсутній |
||
| APT50GR120JD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |