Технічний опис APT50GT120B2RDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT NPT 1200V 94A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns, Switching Energy: 2330µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 340 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 94 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT50GT120B2RDQ2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APT50GT120B2RDQ2G | Виробник : MICROSEMI | кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT NPT 1200V 94A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns Switching Energy: 2330µJ (off) Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Current - Collector (Ic) (Max): 94 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 625 W |
товару немає в наявності |
|
 |
APT50GT120B2RDQ2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |