APT50GT120B2RDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY


Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT50GT120B2RDQ2G THT IGBT transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50GT120B2RDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: IGBT NPT 1200V 94A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns, Switching Energy: 2330µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 340 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 94 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 625 W.

Інші пропозиції APT50GT120B2RDQ2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RDQ2G Виробник : Microchip Technology apt50gt120b2rdq2g_d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2G Виробник : MICROSEMI кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RDQ2G Виробник : Microchip Technology Description: IGBT NPT 1200V 94A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/230ns
Switching Energy: 2330µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RDQ2G Виробник : Microchip Technology APT100GT120JR_B-3444523.pdf IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.