Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > APT50GT60BRDQ2G
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G Microchip / Microsemi

APT50GT60BRDQ2(G)_C.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50GT60BRDQ2G Microchip / Microsemi

Description: IGBT NPT 600V 110A TO247, Power - Max: 446 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Gate Charge: 240 nC, Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V, Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції APT50GT60BRDQ2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
APT50GT60BRDQ2G MICROSEMI APT50GT60BRDQ2(G)_C.pdf TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT50GT60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRDQ2G Microchip Technology APT50GT60BRDQ2(G)_C.pdf Description: IGBT NPT 600V 110A TO247
Power - Max: 446 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRDQ2(G)_C.pdf
Виробник: MICROSEMI
TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT50GT60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRDQ2(G)_C.pdf
APT50GT60BRDQ2G
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT NPT 600V 110A TO247
Power - Max: 446 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.