APT50M38JLL Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5897.37 грн |
| 10+ | 5812.36 грн |
| 100+ | 4642.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50M38JLL Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT50M38JLL за ціною від 6115.83 грн до 6115.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT50M38JLL | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
APT50M38JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||
|
|
APT50M38JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||
|
|
APT50M38JLL | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 88A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||
| APT50M38JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT50M38JLL Transistor modules MOSFET |
товар відсутній |
||||||
| APT50M38JLL | Виробник : MICROSEMI |
ISOTOP®POWER MOSFET - MOS7 кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
APT50M38JLL | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
товар відсутній |